米兰·(milan)-消息称三星HBM3E内存通过英伟达认证

韩国半导体业内子士吐露，三星第五代12 层高频宽存储器HBM3E 产物终究经由过程Nvidia 品质认证测试，估计不久后最先供给高阶存储器芯片，并有望打入下一代HBM4 竞争链。

全世界高效能运算市场需求快速扩增，尤其是随天生式AI 模子、超等电脑、数位孪生技能（digital twin）催化，市场对于HBM 这种高频宽低延迟存储器需求也上升。

此中HBM3E DRAM 是解决AI 算力瓶颈要害存储器技能，依附跨越1 TB/s 的汇流排速率，成为NVIDIA、AMD、Intel 新一代AI 芯片（如NVIDIA H200/B100/B200、AMD MI350X）必备元件，没有HBM3E ，这些芯片的算力就没法彻底开释。

三星作为全世界3 家重要存储器制造商之一，已往于HBM 竞争中却相对于掉队，SK 海力士去年9 月率先最先量产HBM3E 12 层芯片，其次为美光于本年第一季经由过程英伟达认证，三星虽然已经向超微出货HBM3E 12 层芯片，但从去年2 月向英伟达提供首批HBM3E 12 层芯片样品后，一直未能满意英伟达严酷的机能要求。

就如许拉扯长达18 个月，韩国多家媒体近日报道业内子士吐露，三星终究正式经由过程英伟达HBM3E 12 层芯片品质认证测试，将成第三家向英伟达提供HBM3E 12 层产物的公司。

返回